Especificaciones
Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transisores de efecto ce campo de
semiconductor de éxdo metálico
(MOSFET) y rasiotecuenoi (RF)
Polaridad del transistor: N-Channel
Tecnología: Si
Id – Corriente de drenaje continua: 4 A
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 40 V
Frecuencia de trabajo: 1 GHz
Ganancia: 17 dB
Potencia de salida: 8 W
“Temperatura de trabajo” Mínima: -65 C. Máxima: +150 C
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete/Cubierta: PowerSO-10RF-Formed-4
Empaquetado: Tube
Configuración: Single
Altura: 3.5mm
Longitud: 7.5mm
Serie: PD55008-E
Tipo: RF Power MOSFFET
Marca: STMicroelectronics
Transconductancia hacia delante-Mín: 1.6s
Modo canal: Enhancment
Sensibles a la humedad: Yes
Dp-Disipación de potencia: 52.8 W
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 400
Subcategoría: MOSFETs
Vgs-Tensión entre puerta y fuente: 20 V
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