DESCRIPCIÓN:
RD70HVF1 es un transistor tipo MOS FET diseñado específicamente para aplicaciones de amplificadores de alta potencia VHF / UHF
CARACTERÍSTICAS Alta potencia y alta ganancia: Pout> 70W, Gp> 10.6dB @ Vdd = 12.5V, f = 175MHz Pout> 50W, Gp> 7.0 dB @ Vdd = 12.5V, f = 520MHz Alta eficiencia: 60% típ. en banda VHF Alta eficiencia: 55% típ. en banda UHF APLICACIÓN Para etapa de salida de amplificadores de alta potencia en VHF / UHF
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