DESCRIPCIÓN
RD30HVF1 es un transistor de tipo MOS FET específicamente
diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF RF.
CARACTERISTICAS
Ganancia de alta potencia:
Puchero> 30W, Gp> 14.7dB @ Vdd = 12.5V, f = 175MHz
Alta eficiencia: 60% típ.
SOLICITUD
Para etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF
Equipos de radio móviles.
RoHS
RD30HVF1-101 es un producto compatible con RoHS.
El cumplimiento de RoHS se indica con la letra «G» después
el marcado del lote.
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